“ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器”

世界知名半导体制造商rohm (总部位于日本京都市) sic电力零部件) sic mosfet*1)是中国汽车领域的一级综合供应商——汽车电子有限公司( Unite Dauto Motive ELEC TRONIC System SCO .，ltd

与igbt*2等si (硅)功率器件相比，sic功率器件是能够大幅降低损耗的半导体，在电动汽车、基础设施、环境/能源、工业设备行业中的应用越来越广泛。

rohm于2007年开始量产世界首个sic mosfet，作为sic功率部件的领导公司，推进着世界先进的产品开发。 此外，在汽车行业，rohm于2007年率先开始在行业供应车载产品，在电动汽车快速充电车载充电器行业拥有较高的市场份额，该产品在电动汽车电机和变频器上的使用也越来越快。

这次，rohm的sic mosfet用于uaes企业的obc产品，与以往的obc相比，新obc所在的机组的效率提高了1%。 (效率高达95.7%，电力损失比以往降低了约20%。 同时，该先进的处理方案获得了uaes颁发的2019年度最高技术进步奖。

未来，rohm将作为sic电力零部件的领先企业扩大产品线，结合逐一发挥零部件性能的控制ic等周边零部件和模块化技术的特点，继续提供有利于新一代汽车技术创新的电源处理方案。

<； 关于联合汽车电子有限公司( uaes )；

UES企业为中联汽车电子有限企业和德国罗伯特·； 博世有限企业在中国的合资公司是汽车领域的一级综合供应商。 自1995年成立以来，该公司在中国市场获得了发动机控制单元和燃油汽车动力总成事业行业极高的市场份额，2009年以后，开始面向电动汽车行业开发包括主机变频器在内的产品。

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<； 使用sic mosfet的好处>

高功率(高电压×； 在大电流)范围内，与si-igbt相比，sic mosfet具有开关损耗和传导损耗( 3小，耐温度变化等优点。 根据这些优点，如果将sic mosfet用于电动汽车的车载充电器或dc/dc转换器等，则可以降低电力转换时的损失，实现散热部件的小型化，在高频事业中也可以实现线圈的小型化，有助于APP应用的效率化、部件个数的削减、安装面积的削减

<； 用语解说>；

*1) MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管的简称)

金属-氧化物-半导体场效应晶体管是fet中最常用的结构。 作为开关元件使用。

*2) IGBT ( insulatedgatebipolartransistor，绝缘栅双极晶体管) ) ) )。

另外，它是具有mosfet的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性的功率晶体管。

*3)传导损失、开关损失

根据元件结构的不同，采用mosfet和igbt等晶体管时会发生损失。 传导损耗是指电流流过零件时( on状态时)，受到零件电阻分量的影响而产生的损耗。 开关损失是指在切换部件的通电状态时(开关动作时)发生的损失。