“加速LTE”

本篇文章1315字，读完约3分钟

射频元件的诉求正在迅速提高。 先进的lte-a高级( lte-advanced，lte-a )运营商启动，新一代的5g标准也已准备就绪，驱动移动设备的无线系统规格将会升级。 系统工厂支持100mhz的超宽带、40个以上的频带，为了降低噪声干扰，除了增加低噪声放大器( lna )和功率放大器) pa )等射频部件的使用量以外，还增加了射频前端模块) fam。

英凌( infineon )电源管理和多元电子运营商射频和保护元件协理麦正奇指出，随着多频多模lte和lte-a的设计加温，手机制造商开始使用fam的各种元件，如pa、lna、开关( switch )和滤波器

据悉，除美、日、韩开始全面转型lte业务外，中国大陆也有望在今年下半年发放4g牌照，加快td-lte运营。 另外，台湾也有望在年底顺利发行照片，使lte进入高速增长时间，朝着与国际漫游和2g/3g向下兼容的多频多模标准迅速发展。 不仅如此，韩国、美国的电信公司最近还点燃了lte-a商的战火。

随着移动通信技术的持续“进口”，移动设备的射频fam也必须在有限空之间引入高集成设计。 目前，多频多模lte手机需要支持十几个频带，搭载的pa、lna和射频开关数量都比3g手机翻了一番，其中pa需要七个到八个，lna和开关需要二十个到三十个； 今后，手机将采用速度更快、带宽更宽、频带越来越多的lte-a和5g，射频部件的使用量将进一步上升到三个等级，驱动芯片制造商提高产品的一致性，占位符空

麦正奇解体，之前流传的砷化镓射频方案受工艺特殊性限制，难以与其他系统元器件集成。 因为这家芯片制造商踩着油门推进新一代的工艺和封装技术。 例如，英飞凌主导硅锗碳材料制造工艺，与小型晶片级封装( wlp )方案组合，构建高性能、高匹配度、支持高频开关的单晶微波集成电路) mmic ) lna； 高通量( qualcomm )也推出了cmos pa，通过cmos工艺整合了越来越多的周边部件。

麦正奇表示，硅锗碳在高频性能、质量和可靠性方面与砷化镓没有太大差异，便于集成cmos开关和其他部件。 因此，这几年硅锗碳元件的出货量激增，在mmic lna市场的渗透率与砷化镓元件相当。 近日，英飞凌硅锗碳mmic lna更顺利进入联发科多频多模lte公板的提案名单，从今年年底到明年有望提高市场占有率。

关于pa部分，麦正奇认为，主要射频信号的传输需要更高的功率和稳定性，目前仍以材料特性良好的砷化镓方案为主，但cmos pa夹杂着价格和功能一致性的特点，有望在未来崛起为低级手机市场 此外，英飞凌还将硅锗碳lna加pa的系统封装( sip )或单片集成方案纳入新一代产品蓝图，助手机械厂兼顾射频性能和系统体积。

但是，由于lte-a和5g的标准还没有完全确定，业界也有说法认为，手机工厂要实现高速、高质量的传输性能，有必要抛弃综合型射频方案，转向分离型设计； 对此，麦正奇表示，目前射频芯片制造商正在研究更具预见性的氮化镓( gan )工艺，以插件方式提高射频系统的功能，而零部件集成是产品降价和节能的关键。 这是因为只有通信标准被定论后，才能根据规格找到最佳的设计平衡。